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电子束加热的蒸镀源有直枪型电子枪和e型电子枪两种(也有环行)、由电子发射源(通常是热的钨阴极作电子源)、电子加速电源、柑祸、磁场线圈、冷却水套等组成。膜料放入水冷增祸中，电子束自源发出，用磁场线圈使电子束聚焦和偏转，对膜料进行轰击和加热。e型电子束蒸发源所发射的电子轨迹与“e” 相似，故有“e”型束源之称，简称e 型枪。它主要由发射体组件( 电子枪) 、偏转磁极靴及电子线圈、水冷坩埚及换位机构、散射电子及离子收集极等部分组成。

应用电子束蒸发是将膜材放入水冷铜坩埚中，直接利用电子束加热，使膜材中的原子或分子从表面汽化逸出后入射到基片表面凝结成膜。

到七十年代中期, 磁偏转电子束蒸发源蒸镀提高了淀积率, 并克服了环形枪蒸镀时易发生气体放电、功率较小, 以及直枪式蒸发源占用空间大, x 射线二次电子损伤大的缺点, 而获得广泛的应用, 特别在集成电路工艺中应用, 达到了很好的效果。