P+F传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器，  广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

霍尔传感器分为线性型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。

1、线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成，它输出模拟量。

2、开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器，斯密特触发器和输出级组成，它输出数字量。

霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低。霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压消失。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出叶轮驱动轴的某一位置，利用这一工作原理，可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速低的运转情况。

P+F传感器是新型测量仪表，它的优点是能实现无接触远距离测量，速度快，精度高，量程大，抗光等。

激光传感器工作时，先由激光发射二极管对准目标发射激光脉冲。经目标反射后激光向各方向散射。部分散射光返回到传感器接收器，被光学系统接收后成像到雪崩光电二极管上。雪崩光电二极管是一种内部具有放大功能的光学传感器，因此它能检测极其微弱的光信号，并将其转化为相应的电信号。

倍加福传感器型号：

倍加福传感器NBB-0,8-5GM25-E2

倍加福传感器NBB0.8-5GM25-E2-V3

倍加福传感器NBB1.5-8GM40-E0-V3

倍加福传感器NBB1.5-8GM50-E2

倍加福传感器NBB1.5-F41-E2

倍加福传感器NBB10-30GM50-E0

倍加福传感器NBB10-30GM50-E2-V1

倍加福传感器NBB10-30GM50-EO

倍加福传感器NBB15-30GKK-WO

倍加福传感器NBB15-30GM50-E2

倍加福传感器NBB15-30GM50-E2-V1-3G-3D

倍加福传感器NBB15-30GM50-WS

倍加福传感器NBB15-U1-A0

倍加福传感器NBB15-U1-A2

倍加福传感器NBB15-U1-E2 DC24V

倍加福传感器NBB15-U1-Z2

倍加福传感器NBB20-L2-A2-V1-3G-3D

倍加福传感器NBB20-L2-E0-V1

倍加福传感器NBB2-12GM50-E2 10-30DV 200MA

倍加福传感器NBB2-8GM30-E2

倍加福传感器NBB2-8GM30-E2-5M

倍加福传感器NBB2-8GM40-E2-V3

倍加福传感器NBB2-V3-E2-1M

倍加福传感器NBB2-V3-E2-3G-3D

倍加福传感器NBB3-V3-Z4